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참고용
GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258
| 부품 번호 | GA50JT06-258 |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 패키지/케이스 | - |
| 설명 | TRANS SJT 600V 100A |
| 재고 | 즉시 배송 가능 |
| 단가 | 조회를 요청하다 |
| 날짜표 | GA50JT06-258 날짜표 |
| 보장하다 | 새로운 것과 독창적인 것 |
| 범주 | 개별 반도체 제품 |
| 필터 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
빠른문의
GA50JT06-258 명세서
| 부품 번호: | GA50JT06-258 |
| 상표: | GeneSiC Semiconductor |
| 수명주기: | Active |
| RoHS 규제: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 개별 반도체 제품 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 제조업체: | GeneSiC Semiconductor |
| 할로겐 프리: | Satisfy |
| 인기: | High popularity |
| 공급 수요: | Sufficient |
| 대체 부품: | E-mail Us / Technical Support |
| 부품 상태: | Active |
| 펫 유형: | - |
| 기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 600V |
| 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | - |
| (최대) @ id, vgs의 rds: | 25 mOhm @ 50A |
| vgs(th) (최대) @ id: | - |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | 769W (Tc) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 공급업체 장치 패키지: | TO-258 |
| 패키지/케이스: | TO-258-3, TO-258AA |
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