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참고용
Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B
| 부품 번호 | DMN1150UFB-7B |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 패키지/케이스 | - |
| 설명 | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN |
| 재고 | 즉시 배송 가능 |
| 단가 | 조회를 요청하다 |
| 날짜표 | DMN1150UFB-7B 날짜표 |
| 보장하다 | 새로운 것과 독창적인 것 |
| 범주 | 개별 반도체 제품 |
| 필터 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
빠른문의
DMN1150UFB-7B 명세서
| 부품 번호: | DMN1150UFB-7B |
| 상표: | Diodes Incorporated |
| 수명주기: | Active |
| RoHS 규제: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 개별 반도체 제품 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 제조업체: | Diodes Incorporated |
| 할로겐 프리: | Satisfy |
| 인기: | High popularity |
| 공급 수요: | Sufficient |
| 대체 부품: | E-mail Us / Technical Support |
| 부품 상태: | Active |
| 펫 유형: | N-Channel |
| 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 12V |
| 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c: | 1.41A (Ta) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 1.8V, 4.5V |
| (최대) @ id, vgs의 rds: | 150 mOhm @ 1A, 4.5V |
| vgs(th) (최대) @ id: | 1V @ 250µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| vgs(최대): | ±6V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 106pF @ 10V |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | 500mW (Ta) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 공급업체 장치 패키지: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 패키지/케이스: | 3-UFDFN |
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